Ingegneria delle Telecomunicazioni

PASQUALE TOMMASINO
ANDREA PIETRELLI

GENERALI
Il modulo fornisce: le basi delle tecnologie bipolare e unipolare per realizzare circuiti integrati allo stato solido; la caratterizzazione elettronica di dispositivi e sistemi elettronici; i metodi analitici e l’apprendimento di tecniche CAE per lo studio di configurazioni base e di circuiti utilizzati nei sistemi di comunicazione.

SPECIFICI
• Conoscenza e capacità di comprensione: conoscere metodi analitici per la risoluzione di circuiti, comprendere le modalità di funzionamento di specifici circuiti adottati in telecomunicazione, nonché conoscere la tecnologia di base dell’elettronica dello stato solido.
• Capacità di applicare conoscenza e comprensione: applicare metodologie di analisi e progetto nella tecnologia analogica, mediante attività: di simulazione PSPICE e sperimentali in laboratorio.
• Capacità critiche e di giudizio: sono svolte prove di laboratorio ai banchi di misura su schede didattiche realizzate dal docente e/o commerciali, per es. Analog System Lab Kit PRO della Texas Instruments. Sono svolte prove di simulazione al calcolatore con applicativo software CAE PSPICE per analisi di circuiti elettronici.
• Abilità comunicative: saper descrivere le soluzioni circuitali adottate per risolvere problemi di trattamento di segnali: dai problemi di alimentazione a quelli di adattamento, amplificazione, filtraggio e in generale di modifica dei parametri costitutivi. L’abilità comunicativa è realizzata affrontando alcuni temi fondamentali con la richiesta di partecipazione attiva alla soluzione dei problemi, sulla base delle conoscenze acquisite dalle precedenti lezioni o da corsi già superati.
• Capacità di proseguire lo studio in modo autonomo nel corso della vita: capacità di proseguire gli studi successivi riguardanti tematiche avanzate di elettronica, fondate sulle metodologie di analisi e progetto acquisite.

• Conoscenza e capacità di comprensione: conoscere metodi analitici per la risoluzione di circuiti, comprendere le modalità di funzionamento di specifici circuiti adottati in telecomunicazione, nonché conoscere la tecnologia di base dell’elettronica dello stato solido.
• Capacità di applicare conoscenza e comprensione: applicare metodologie di analisi e progetto nella tecnologia analogica, mediante attività: di simulazione PSPICE e sperimentali in laboratorio.
• Autonomia di giudizio: sono svolte prove di laboratorio ai banchi di misura su schede didattiche realizzate dal docente e/o commerciali, per es. Analog System Lab Kit PRO della Texas Instruments. Sono svolte prove di simulazione al calcolatore con applicativo software CAE PSPICE per analisi di circuiti elettronici.
• Abilità comunicative: saper descrivere le soluzioni circuitali adottate per risolvere problemi di trattamento di segnali: dai problemi di alimentazione a quelli di adattamento, amplificazione, filtraggio e in generale di modifica dei parametri costitutivi. L’abilità comunicativa è realizzata affrontando alcuni temi fondamentali con la richiesta di partecipazione attiva alla soluzione dei problemi, sulla base delle conoscenze acquisite dalle precedenti lezioni o da corsi già superati.
• Capacità di apprendimento: capacità di proseguire gli studi successivi riguardanti tematiche avanzate di elettronica, fondate sulle metodologie di analisi e progetto acquisite.

• Analisi Matematica, numeri complessi, indispensabile.
• Analisi Matematica, Trasformate di Fourier e di Laplace, importante.
• Fisica, Elettrostatica e Elettromagnetismo, importante
• Teoria dei Circuiti, leggi e regole di risoluzione circuitale (legge di Ohm, equiv. Thevenin, Norton), importante

Il programma del corso prevede una prima fase di presentazione dei segnali e la loro trattazione analitica finalizzata alla risoluzione di circuiti, con l’individuazione degli intervalli operativi di frequenza e ampiezza, mediante filtri e limitazioni da saturazione dei livelli. Partendo dai metodi di caratterizzazione elettrica di specifici bipoli, vengono introdotte le reti due porte, specificatamente le quattro tipologie di amplificatori e in particolare l’operazionale. Con quest’ultimo è prima implicitamente e poi successivamente in modo esplicito evidenziata la base metodologica della tecnica della retroazione negativa e dei suoi effetti sui parametri caratterizzanti l’amplificatore senza retroazione. Vengono esaminati vari circuiti con OP che conducono lo studente alle possibili applicazioni di elaborazione dei segnali (integrazione, derivazione, somma, differenza, mixaggio, tosatura, …). L’introduzione della retroazione positiva amplia la panoramica dei circuiti agli oscillatori, multivibratori e generatori di funzioni. Segue una fase di dettaglio elettronico, che si cala nella descrizione dei componenti che realizzano gli OP e in generale i circuiti integrati. Dopo una breve introduzione della fisica dello stato solido, volta a identificare la specificità nei semiconduttori della presenza di due tipi di cariche elettriche mobili (elettroni e lacune) e a poter introdurre le due differenti correnti di trasporto e diffusione, sono presentati i componenti base: diodi a giunzione e transistori unipolari. La parte finale del corso esamina le differenti configurazioni dei transistori e la descrizione di alcune configurazioni notevoli di stadi in cascata di transistori, volti a esaltare/migliorare i parametri di amplificazione del singolo stadio (differenziale, cascode, …).

Adel S. Sedra, Kenneth C. Smith, Circuiti per la Microelettronica, Ed. EdiSES Università, V Edizione, 2019.

Materiale integrativo
Dispense, schemi PSPICE ed esercizi distribuiti in aula e disponibili sul sito web dedicato Moodle E-learning.

• Lezioni frontali
• Esercitazioni con ausilio di programmi di simulazione circuitale CAE PSPICE
• Attività di laboratorio con utilizzo di strumentazione (oscilloscopi, generatori, di funzione, …) per le misure elettroniche.
• Utilizzo di piattaforma e-learning per distribuzione di materiale didattico
La modalità di svolgimento è in presenza. Il ricevimento è in presenza.

La frequenza è facoltativa

Esame con votazione in trentesimi
La valutazione è fatta con una prova scritta di durata massima due ore riguardante la risoluzione di circuiti elettronici e con una prova orale di verifica dell’apprendimento e della capacità di ragionamento.
La prova scritta permette di valutare quanto lo studente abbia approfondito la conoscenza dei metodi di risoluzione di circuiti elettronici. Le prove generalmente sono esercizi circuitali che contengono al loro interno degli schemi di base e circuiti standard utilizzati nella progettazione di sistemi di telecomunicazione. Essa è volta in particolar modo ad accertare quanto lo studente abbia maturato le conoscenze nel settore dell’elettronica analogica con un’analisi critica che ne dimostra la propria qualità di apprendere. La valutazione della prova scritta incide per il 50% della prova complessiva. Il restante 50% è valutato con la prova orale volta ad accertare soprattutto la capacità di comprensione, esplicata principalmente nella descrizione del funzionamento di circuiti di base, quali parte integrante di sistemi, specificatamente orientati al settore delle telecomunicazioni.
Per lo studente è possibile scegliere di svolgere une parte dell’esame tramite una prova di laboratorio con progetti sulle tematiche del corso incidendo per il 50% della prova complessiva

Nel circuito il transistore NMOS ha una |Vt|=0.6 V e una VA=50 V
a) Nel caso di generatore di corrente che eroga una I=0.6 mA e di tensione di polarizzazione al drain misurata pari a VD=1.1 V, qual è il guadagno di tensione Av=vo/vi ?
b) Quanto diventano la tensione di polarizzazione al drain (VD) e il guadagno Av se la corrente generata dal generatore di corrente aumenta al valore I=1.2 mA ?
c) In questo secondo caso (I=1.2 mA) valutare la frequenza di taglio a -3dB inferiore fbL?


Altri dati del problema:
VDD=5 V, C1=C2=1e-6F, RG=10 MOhm RL=10kOhm

• Presentazione
  del corso. I segnali: analogici, digitali, spettro di frequenza. Richiami sui
  segnali periodici: sviluppo in serie, analisi spettrale del segnale,
  trasformata di Laplace, trasformata di Fourier.
  
  Realizzabilità
  dei sistemi di comunicazione, controllo e calcolo per la disponibilità di
  tecnologie elettroniche.
  
  Metodi
  di soluzione di circuiti non lineari: analitico, numerico al calcolatore (Spice),
  lineare a tratti, grafico.
  
  Presentazione
  del programma di simulazione di circuiti elettronici Spice-Capture. Altri
  prodotti di simulazione: LTSpice, Fritzing. Progettazione hardware e software:
  esempi prototipi Arduino. Esercitazione introduttiva SPICE-Capture, analisi:
  statica (punto di lavoro di un componente non lineare), soluzioni nel dominio
  del tempo (transient), soluzioni nel dominio della frequenza (AC). 
  
  Nozioni
  e metodi di base per la soluzione di circuiti elettronici: bipoli, reti due
  porte, reti due porte sbilanciate, caratteristiche statiche I-V, resistenze,
  generatori di tensione e corrente indipendenti, componenti passivi e attivi,
  resistenze serie, resistenze parallelo. Quadranti e potenza dissipata/erogata.
  Metodo grafico: bipoli in serie e parallelo. Applicazione del principio di
  sovrapposizione degli effetti. Equazioni alle maglie e ai nodi. 
  
  Circuiti
  equivalenti di Thevenin e Norton. Regola del partitore di tensione. Regola del
  partitore di corrente. Teorema dell’assorbimento
  
  Esercitazione: esempi di sviluppo in serie,
  analisi spettrale del segnale, trasformata di Laplace, trasformata di Fourier
  con ausilio anche di Spice. Primi esempi di soluzione grafica da
  caratteristiche I-V dei componenti. Soluzioni di circuiti utilizzando circuiti
  equivalenti e teoremi.
  • Testi di riferimento: Sedra Smith: Cap. 1.1, Cap. 1.2, Cap. 1.3


• Caratteristiche
  V-I di componenti elettronici e relativi modelli.
  
  Modelli lineari a tratti della caratteristica V-I di un
  bipolo. Esempi: caratteristica V-I di diodi, diodi zener, fotodiodi, cella
  solare, diodo tunnel. Modelli per grandi segnali del diodo. Modelli
  approssimati del diodo. Punto di lavoro. Sovrapposizione di un segnale di
  piccole dimensioni, limitazioni delle distorsioni, linearità. Separazione delle
  analisi: statica e di piccolo segnale. Sistemi lineari e non lineari: linearità
  locale e sovrapposizione degli effetti.
  
  Esempi di retta di carico statica e dinamica.
  
  Spice:
  
  Estrazione
  della caratteristica statica di un componente (DC sweep, impostazioni del
  Plot), misura mediante cursori, esempio di estrazione della caratteristica
  statica V-I di un bipolo (diodo 1N4002).
  
  Rete
  due porte con generatore controllato di tensione (Av_E) ad anello aperto e con
  retroazione. 
  
  Componenti
  reattivi (C, L).
  
  Esempi
  di filtri RC. Introduzione alla risposta in frequenza degli amplificatori:
  Banda passante e definizione delle frequenze di taglio a -3dB inferiore e
  superiore. Richiamo di poli e zeri della funzione di trasferimento nel dominio
  di Laplace e nel dominio della frequenza (diagrammi di Bode).
  
  Amplificatori: reti due porte. Tipi di amplificatori: AV,
  AI, GM, RM.
  
  Guadagno espresso in decibel. Legame tra dB di potenza e
  dB di tensione e corrente. Amplificatori in cascata. Relazioni tra i quattro
  modelli di amplificatori. Modelli unilaterali e retroazionati.
  
  Esercizi circuitali. 
  • Testi di riferimento: Cap.
    
    1.6, Cap. 9.1: calcolo della frequenza di taglio inferiore+9.1.2+9.4, Appendice
    
    E, Appendice F.Cap.
    
    1.4 e 1.5


• Partitore
  compensato. Circuito RC con applicazione di un segnale a gradino; evoluzione
  nel tempo: costante di tempo. STC: relazione tra costante di tempo, frequenza
  di taglio a -3dB superiore e tempo di salita; relazione tra tilt (sag) e
  frequenza di taglio a -3dB inferiore. Calcolo della frequenza di taglio
  mediante il metodo delle costanti di tempo: approssimazione relativa agli zeri
  della funzione di trasferimento (Esercizi applicativi)
  
  Introduzione
  all'operazionale ideale, realizzazione di una massa virtuale e sua valutazione
  analitica. Guadagno ad anello aperto di OP ideale e reale. Segnali
  differenziali e di modo comune.
  
  Interpretazione
  mediante la teoria delle controreazioni. Retroazione ideale. Amplificatore con
  retroazione negativa. Configurazione invertente, non invertente. Calcolo
  dell’amplificazione con guadagno ad anello aperto finito dell’OP. Resistenze di
  ingresso e d’uscita dell’OP ed effetto della retroazione. Circuiti con OP:
  somma pesata, circuiti somma-differenza, inseguitore di tensione, DAC, NIC.
  
  Esercizi
  circuitali con OP.
  
  Circuiti
  con OP: differenziale (modo comune e CMRR), derivatore, differenziale da
  laboratorio, differenziale con due OP. Teorema di Miller. Circuiti con OP:
  integratore di Miller, derivatore.
  
  Esercizi circuitali. 
  • Testi di riferimento: Appendice
    
    E, Appendice F, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”Cap.
    
    2.1, Cap 2.2, Cap 2.3, Cap.
    
    2.4. Cap. 2.5, Cap. 9.3.3


• Struttura
  interna OP (cascata amplificatore differenziale, amplificatore di tensione e
  buffer d'uscita). Dipendenza dai parametri interni dell'amplificazione Ado
  e della frequenza di taglio a -3 dB ad anello aperto.
  
  OP:
  non idealità in continua (VOS, IOS, IBIAS), effetti del guadagno e banda di
  valore finito. Risposta in frequenza degli amplificatori ad anello chiuso.
  Limiti di funzionamento per grandi segnali (Saturazione della tensione
  d’uscita, corrente d’uscita, Slew rate, larghezza di banda a piena potenza).
  
  Approfondimento
  sulle tecniche di retroazione. Retroazione negativa. Guadagno d’anello. Fattore
  di retroazione. Proprietà della retroazione negativa. Le quattro tipologie di
  retroazione serie-parallelo, serie-serie, parallelo-serie, parallelo-parallelo.
  Effetti della retroazione sui parametri di amplificazione.
  
  Retroazione
  ideale e analisi sistematica. Uso del guadagno d’anello.  Approccio alternativo: analisi utilizzando il
  “return ratio” (Rosenstark).
  
  Casi
  reali e tecniche di risoluzione. Effetto della retroazione sui poli della
  risposta in frequenza di un amplificatore: caso dell’OP. Effetti sulle
  resistenze d’ingresso e d’uscita.
  
  Il
  problema della stabilità dei sistemi controreazionati (cenni di analisi della
  stabilità con i diagrammi di Bode. Cenni su margine di fase e margine di
  guadagno).
  
  Esercizi di circuiti con retroazione. 
  • Testi di riferimento: Cap. 2.6, Cap. 2.7, Cap. 2.8Cap. 10.1, Cap. 10.2, Cap. 10.3, Cap.10.5.Cap. 10.4, Cap. 10.5, Cap. 10.6, Cap 10.8.1÷10.8.4, Cap. 10.9.1÷10.9.2  


• Esercitazione
  di Laboratorio ai banchi di misura: Presentazione degli strumenti in
  laboratorio e prime misure: partitore, partitore compensato, circuiti RC.
  Circuiti con OP - scheda TI. Inseguitore di tensione ed effetti dei poli dell’OP,
  configurazioni invertente e non invertente.
  
  Introduzione
  alla retroazione positiva. Oscillatori sinusoidali e non lineari. Criterio di
  Barkhausen. Esempio di oscillatore sinusoidale: oscillatore a ponte Wien.
  Multivibratori bistabili. Generatori di forme d’onda quadre e triangolari.
  Multivibratore monostabile.
  
  Continuazione
  multivibratori: generatori di forme d’onda quadre e triangolari. Multivibratore
  monostabile.
  
  Oscillatore
  controllato in tensione (VCO) dell’esperienza con schede TI (laboratorio).
  
  Esercizi circuitali con multivibratori e oscillatori. Esercitazione
  di Laboratorio ai banchi di misura: Misure su circuiti con OP - scheda TI
  • Testi di riferimento: Cap. 14.1, Cap. 14.2.1, Cap. 14.4, Cap. 14.5Cap. 14.4, Cap. 14.5, Cap. 14.6


• Cenni
  di fisica dei dispositivi: semiconduttori intrinseci, estrinseci e degeneri.
  
  Bande
  di energia, equazione di continuità, correnti di deriva e di diffusione.
  
  La
  giunzione p-n, equazione di Shockley del diodo. Capacità di giunzione e di
  svuotamento.
  
  Richiamo
  di bipoli con caratteristiche V-I non lineari: diodi.
  
  Diodo
  ideale: caratteristica e prime applicazioni (raddrizzatore, limitatori o
  tosatori con diodi. porte logiche OR e AND con diodi, rivelatore di massimo e
  di minimo, circuito di aggancio (clamp), moltiplicatore di tensione continua,
  demodulatore di inviluppo).
  
  Circuiti
  con diodi: analisi grafica, procedura iterativa di soluzione circuitale con
  modello esponenziale dei diodi. Effetto della frequenza sul circuito
  raddrizzatore: tempo di recupero inverso.
  
  Diodo
  come regolatore di tensione. Completamento regione inversa del diodo:
  breakdown, diodo zener. Coefficienti termici.
  
  Completamento
  effetto fotoelettrico: diodo led, laser, fotodiodo, cella solare. Diodi
  particolari: diodo a barriera, varactor.  Moltiplicatore di tensione continua,
  superdiodo, rettificatore di precisione.
  
  Commutazione
  veloce: tempo di recupero inverso. Circuiti elettronici per le
  telecomunicazioni, principi di funzionamento: Porta di campionamento a diodi, demodulatore
  di inviluppo, mixer a diodo e mixer a diodi doppiamente bilanciato.
  • Testi di riferimento: Cap. 1.7, Cap. 1.8, Cap. 1.9, Cap. 1.10, Cap.1.11, Cap. 1.12, per approfondimenti Dispensa “Complementi di Elettronica dello Stato solido”Cap. 3.1, Cap. 3.2, Cap. 3.3, Cap. 3.4, Cap. 3.5.4, Cap. 3.6 Cap. 3.4, Cap. 3.5.5, Cap. 3.7, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf”


• Concetti
  base dell'architettura di un sistema elettronico: trasduttori, alimentatori,
  sincronizzatori, amplificazione, conversione, elaborazione, adattamento
  ingresso-uscita... Caratterizzazione di un sistema elettronico:
  analogico/digitale, banda di frequenza, dinamica, dissipazione, rumore
  endogenerato,...
  
  Il
  problema dell'alimentazione (richiamo del concetto "punto di
  lavoro"). Accenno sui sistemi di conversione AC-DC e DC-DC.
  
  Introduzione
  ai transistori unipolari. Fisica del transistore JFET. Fisica e caratteristiche
  di un MOSFET a canale n e p. Caratteristiche ID-VDS e transcaratteristica
  ID-VGS in zona di saturazione. Resistenza d’uscita di valore finito in regione
  di saturazione. La tecnologia complementare CMOS.
  
  Esercitazione
  su circuiti MOS in continua: connessione a diodo, generatore di corrente,
  circuiti CMOS.
  
  Circuiti
  in continua e polarizzazione dei transistori MOS.
  
  Continuazione
  esercitazione su circuiti MOS in continua: connessione a diodo, generatore di
  corrente,  circuiti CMOS. Circuiti di
  polarizzazione per transistori MOS.
  
  Effetto
  body, effetti della temperatura, breakdown. MOSFET a svuotamento.
  
  Esercizi
  con configurazioni di generatori di corrente utilizzanti MOS.
  • Testi di riferimento:  Cap. 3.5, Dispensa “scheda_alimentatori_3.2.pdf” Cap. 5.1, Cap. 5.2 Cap. 5.3Cap. 5.3, Cap. 5.4


• Caratteristica
  di trasferimento in tensione VTC. Limiti dell’amplificazione Av=f(VDD,Vov).
  Amplificazione e punto di lavoro.
  
  Modelli
  per piccoli segnali di transistori MOS e parametri di amplificazione.
  Condizioni per modelli semplificati dei modelli per piccoli segnali.  Modellizzazione dell’effetto body.
  Configurazioni base per MOS: CS, CD, CG. Retroazione stabilizzante con
  resistenza di source e Drain-Gate.
  
  Circuiti
  di polarizzazione dei transistori.
  
  Esercitazione
  con circuiti MOS. Svolgimento dell’analisi per piccoli segnali direttamente
  sullo schema circuitale.
  
  Continuazione dell’esercitazione polarizzazione e
  calcolo di amplificazione per piccoli segnali con MOS. 
  • Testi di riferimento: Cap. 6.1 solo parti dedicate ai MOSCap. 6.2 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 6.3 solo parti dedicate ai MOSCap. 6.3 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 6.4 solo parti dedicate ai MOS 


• Retroazione
  stabilizzante del punto di lavoro, effetti sul segnale. Eliminazione della
  retroazione per il segnale. Amplificatori in cascata con separazione mediante
  condensatori di blocco e uso di condensatori di bypass. Criteri per la scelta
  della configurazione in un problema di adattamento e amplificazione di una
  grandezza elettrica.
  
  Risposta
  in frequenza degli amplificatori, in bassa e alta frequenza. Modelli ad alta
  frequenza. Metodo delle costanti di tempo.
  
  MOSFET:
  Componenti discreti e componenti integrati. Limiti imposti dalla tecnologia:
  guadagno intrinseco. Blocchi circuitali fondamentali degli amplificatori
  integrati: generatori d corrente, circuiti di pilotaggio in corrente. Tecniche
  di polarizzazione: polarizzazione con generatori di corrente.
  
  Esercitazione calcolo dei parametri di amplificazione
  (guadagno, larghezza di banda,…) di amplificatori con MOS 
  • Testi di riferimento: Cap. 6.5 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 9.1 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 9.2 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 9.3 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 9.4.3, Cap. 9.5.1, Cap. 9.6.1Cap. 7.1, Cap. 7.2  solo parti dedicate ai MOS 


• Esercitazione
  di Laboratorio ai banchi di misura: Misure su circuiti con OP - scheda TI -
  Multivibratore astabile. Progetto individuale.
  
   MOSFET:
  Cella di guadagno elementare. Amplificatori a source comune con generatore di corrente
  di carico. Tecnologia CMOS. Amplificatore CG.
  
  Amplificatore
  cascode e sue caratteristiche. Specchi a prestazioni elevate: cascode , Wilson.
  Coppie notevoli di stadi a transistori. Bootstrap
  
  Esercitazione su temi d’esame 
  • Testi di riferimento: Cap. 7.3, Cap. 7.4 solo parti dedicate ai MOSùCap. 7.5 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 7.6 solo parti dedicate ai MOS, Cap. 7.7 solo parti dedicate ai MOS


• Esercitazione di Laboratorio ai banchi di
  misura: Misure su circuiti con diodi: rettificatore a semionda, onda intera,
  demodulatore di inviluppo, clamp, rettificatore di precisione.Coppie
  notevoli di stadi a transistori. Amplificatore differenziale a MOS. Reiezione
  di modo comune. Offset di tensione di ingresso.Amplificatore
  differenziale a MOS con carico attivo. Guadagno di modo comune e CMRR.Esercitazione:
  circuiti con transistori.
  
  Esercitazioni su temi d’esame
  • Testi di riferimento: Cap. 8.1, Cap. 8.3.1, Cap. 8.4.1Cap. 8.5.1, Cap. 8.5.2, Cap. 8.5.3, Cap. 8.5.5 solo parti dedicate ai MOS 


• ATTIVITA’  DI LABORATORIO
  
  E’
  prevista un’attività di laboratorio costituita da due ore settimanali  (10/12 ore totali) di attività di simulazione
  software (Cadence/PSPICE) (Appendice B) e da 8/10 ore totali di esperienze ai
  banchi di misura.
  
  In
  particolare le esperienze ai banchi di misura riguardano:
  
  •Esperienze
  su schede elettroniche riconfigurabili realizzate in Dipartimento e contenenti:
  
  o   OP (Configurazioni invertente e non
  invertente, integratore di Miller, Slew-rate e settling time, VCO)
  
  o   Diodi (Rettificatore a semionda, onda
  intera, demodulatore di inviluppo, clamp, rettificatore di precisione)
  
  •Attività
  di progettazione con schede della Texas Instruments: Analog system Lab kit PRO.