GIUSEPPE ZOLLO

Corso di Struttura della Materia con elementi di Meccanica Quantistica e Simulazioni Atomistiche- Parte 2: Simulazioni Atomistiche

Il materiale didattico è disponibile alla pagina web: http://enrg55.ing2.uniroma1.it/dettaglio-corsi.phpcod=406.

Si compone di una serie di note snelle relative a tutte le lezioni e in un vero testo scritto dal docente in lingua inglese. 

A causa dell'emergenza covid-19, a partire dalla data dell'11 marzo 2020 le lezioni sono tenute in streaming tramite il canale www.twitch.tv/giuzollo permanendo on line per i 14 giorni successivi alla lezione. In caso di necessità la registrazione delle lezioni può essere messa a disposizione dietro richiesta. 

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Course of Molecular Dynamics and Atomistic Simulations- MS Degree course of Nanotechnology Engineering- A.A. 2020-2021.

The course is held from september the 28th 2020 for the Academic Year 2020-2021 (year II, semester I).

Due to the COVID-19 pandemic desease the course will be held both in presence and on line. Please visit the official timetable for the lectures scheduling (tuesday 10.00-12.00 room 20, wednesday 14.00-16.00 room 15, friday 10.00-12.00 room 22), faculty of Engineering Via Eudossiana Roma). The lectures will be held contextually in presence and in streming for those students who are not allowed to get into the faculty according to the official rules and the schedule (please visit the official site of the Civil and Industrial Engineering- ICI - faculty. The steaming of the lectures will be available either through the twitch channel www.twitch.tv/giuzollo or in a in a zoom meeting (id meetings 947 8996 6184 (tuesday) and 986 6114 9108 (wednesday)) depending on the feasibility of the two solutions.

Please contact the teacher (giuseppe.zollo@uniroma1.it) and visit the course web page 

http://enrg55.ing2.uniroma1.it/dettaglio-corsi.php?cod=407

Dott. Giuseppe ZOLLO
Curriculum
INDICE
A - Curriculum vitae pag. 2
B - Attività scientifica pag. 4
C - Attività organizzativa e
di coordinamento pag. 12
D - Attività didattica pag. 14
E - Pubblicazioni pag. 17
pag. 2
Dott. Giuseppe ZOLLO
A. Curriculum vitae
Nato a Campobasso il 22.04.1965
Ha conseguito la Maturità Scientifica presso il Liceo Scientifico Statale A.
Romita di Campobasso nel 1984.
Laurea di Ingegneria Elettronica presso l’Università “La Sapienza” di Roma,
conseguita nell’a.a. 1990-1991 con voti 110/110 e Lode, discutendo la tesi
“Analisi teorica della trasmissione del calore in uno strato impiantato di un cristallo
di GaAs sottoposto ad irradiazione laser di bassa potenza”.
Ha conseguito nel 1996 il titolo di Dottore di Ricerca in “Elettromagnetismo
Applicato e Scienze Elettrofisiche” discutendo la dissertazione “Impiantazione
ionica e laser annealing a bassa potenza del GaAs: studio degli effetti microstrutturali
mediante microscopia elettronica ad alta risoluzione” (All. A).
• La carriera scientifica e accademica dello scrivente si è così sviluppata:
1992: Collaboratore esterno e cultore della materia nell’insegnamento
di Fisica presso il Dipartimento di Energetica dell’Università La
Sapienza.
dal 1992: Ricercatore associato al Consorzio Interuniversitario di Fisica
della Materia, in seguito (1995) divenuto Istituto Nazionale di
Fisica della Materia (INFM).
1992 - 95: Dottorato di ricerca, VIII ciclo, in “Elettromagnetismo
Applicato e Scienze Elettrofisiche” presso l’Universita’ degli
studi di Roma “La Sapienza”.
1993 - 98: Nel 1993 risulta vincitore di un concorso per l’assunzione presso
l’Ente per le Nuove Tecnologie, l’Energia e l’Ambiente
(E.N.E.A.) Dal 1993 al 1998 è ricercatore a tempo indeterminato
presso lo stesso ente usufruendo di un periodo di congedo
straordinario per motivi di studio allo scopo di completare il
dottorato di ricerca;
1998 - 2001: Ricercatore non confermato presso la Facoltà di Ingegneria
dell’Università di Roma “la Sapienza” nel raggruppamento
A - Curriculum vitae
pag. 3
FIS/01; afferisce al Dipartimento di Energetica.
2000: "Visiting Scientist" presso il Centro di Eccellenza- gruppo di
Fisica Computazionale (COMP) del Laboratorio di Fisica
dell'Universita' Tecnica di Helsinki (FIN) (attualmente Aalto
University) essendo stato posto a richiesta in congedo per motivi
di studio dalla Universita’ “La Sapienza”.
dal 2001 : Ricercatore Confermato presso la Facoltà di Ingegneria
dell’Università di Roma “La Sapienza” nel raggruppamento
FIS/01 - Fisica Sperimentale; afferisce al Dipartimento di
Energetica.
dal 2003: Referee di numerose riviste internazionali e in particolare
dell’American Physica Society per le riviste Physical Review B e
Physical Review Letters.
dal 2005: è responsabile del laboratorio di “Fisica dei Semiconduttori e
Materiali Nanostrutturati” del dipartimento di Scienza di Base e
Applicate per l'Ingegneria - sezione di Fisica (già dipartimento di
Energetica) dell'Università "La Sapienza" di Roma.
dal 2011: è membro del collegio dei docenti del Dottorato in “Modelli
Matematici per l’Ingegneria, Elettromagnetismo e Nanoscienze”
(già dottorato in Elettromagnetismo e Modelli matamatici per
l’Ingegneria) presso il Dipartimento di Scienze di Base e
Applicate per l’Ingegneria dell’Università degli studi di Roma “La
Sapienza”;
A - Curriculum vitae Dott. Giuseppe ZOLLO
B- Attività scientifica
B1: Evoluzione temporale
L’attività scientifica svolta dal candidato è caratterizzata da interessi molteplici
e variegati la cui evoluzione, chiaramente desumibile dal curriculum,
ha riguardato temi e attività di natura sia sperimentale che teoricosimulativa
ed evidenzia la collocazione originale del candidato non inquddrabile
in una specifica scuola di riferimento.
-)Sotto la guida del Prof. Gianfranco Vitali, collocato successivamente a
riposo a partire dall’anno 2005, lo scrivente ha iniziato la propria attività
scientifica durante la tesi di laurea (il cui lavoro di natura teorico-simulativa
ha prodotto la prima pubblicazione scientifica) ed è proseguita durante
il dottorato di ricerca su temi di natura rigorosamente sperimentale occupandosi
di caratterizzazione elettrica, microscopia e diffrazione elettronica
(in paricolare microscopia elettronica ad alta risoluzione) ed esperimenti di
irradiazione di materiali semiconduttori mediante fasci laser e ionici.
-) La parentesi temporale nella quale il candidato ha svolto la propria attività
come ricercatore ENEA ha determinato una temporanea parziale interruzione
delle ricerche intraprese nel corso del dottorato; infatti durante il
servizio prestato presso l’ENEA il dott. Zollo è stato prevalentemente
impegnato in attività di trasferimento tecnologico riguardante la saldatura
e i trattamenti superficiali mediante fasci laser di potenza. In tale periodo,
comunque, lo scrivente ha svolto anche, in misura molto limitata, attività
più prettamente scientifica sia in ambito ENEA che continuando a collaborare
per quanto possibile con il gruppo del Prof. Vitali.
-) Nel 1998 lo scrivente, essendo risultato vincitore di un concorso per l’assunzione
di un ricercatore a tempo indeterminato presso l’università “La
Sapienza, lascia l’ENEA e riprende il proprio percorso scientifico nella fisica
sperimentale della materia fino all’anno 2000 occupandosi di caratterizzazione
elettrica e strutturale di materiali semiconduttori e film sottili.
-) Nell’anno 2000 lo scrivente decide di trascorrere un periodo di studio
presso il laboratorio di Fisica - gruppo di eccellenza di fisica computazionale
dell’università tecnica di Helsinki (HUT), attualmente AALTO
pag. 4
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
University diretto dal Prof. R. Nieminen iniziando ad interessarsi di modelli
atomistici per lo studio dei materiali semiconduttori e di nano-strutture.
Occorre sottolineare che questa evoluzione dell’attività scientifica nasce
dall’esigenza sentiota dallo scrivente di trovare una soddisfacente descrizione
quantitativa di alcuni risultati ottenuti mediante microscopia elettronica
ad alta risoluzione.
Dall’anno 2001 lo scrivente ha, quindi, sia sostenuto la tradizionale attività
sperimentale, in particolare sviluppando ulteriormente temi di caratterizzazione
elettrica ed elettronica di semiconduttori, che dato vita ad una nuova
originale linea di ricerca di simulazioni atomistiche, mai perseguita nel
dipartimento in cui lo scrivente svolge la sua attività.
Dall’anno 2008 l’attività di ricerca simulativa è diventata prevalente ed è
stata orientata allo studio di nano-strutture, semiconduttori, sistemi organici-
inorganici.
B2: Sommario
L’attività scientifica svolta s’inquadra nel tema generale di ricerca dello
studio delle proprietà strutturali, elettriche ed elettroniche di materiali
d’interesse tecnologico e ha riguardato, oltre ai consolidati aspetti sperimentali,
anche temi teorico-simulativi.
L’attività sperimentale condotta su diversi materiali e processi si è avvalsa
dell’uso di tecniche di caratterizzazione delle proprietà strutturali, elettroniche
e superficiali dei materiali studiati con particolare riferimento a:
microscopia elettronica in trasmissione sia convenzionale (TEM:
Transmission Electron Microscopy) che ad alta risoluzione (HRTEM: High
Resolution TEM); diffrazione elettronica (ED: Electron Diffraction) sia in
trasmissione (TED: Transmission ED) che per riflessione ad alta energia
(RHEED: Reflection High Energy ED); caratterizzazione elettrica (resistività
di strato con metodo Van der Pauw, effetto Hall) ed elettronica (misure di
energia di attivazione dei portatori, CTS: Current Transient Spectroscopy),
e superficiale (XPS: Xray Photoelectron Spectroscopy) limitatamente ad un
periodo breve del servizio prestato all’ENEA. Tuttavia il servizio prestato
all’ENEA è stato dedicato prevalentemente a temi di trasferimento tecnologico
riguardanti tecniche di saldatura laser.
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
Tali tecniche sono state largamente impiegate nello studio delle proprietà
elettroniche e strutturali di semiconduttori composti irradiati con fasci
energetici (ionici e laser) e nello studio di film sottili e processi di crescita
di nuovi materiali per applicazioni elettroniche e sensoristiche.
A partire dal 2000, all’attività sperimentale si è affiancata anche un’atttività
teorico simulativa (Density Functional Theory, Dinamica Molecolare
Tight Binding e classica, simulazioni atomistiche Monte Carlo) inizialmente
per l’esigenza di approfondire alcuni aspetti sperimentali emersi nello
studio delle modificazioni strutturali di semiconduttori indotte da irradiazione
ionica e laser, e successivamente consolidatasi come una linea di
ricerca a tutti gli effetti. In quest’ambito si sono studiati difetti interstiziali
in GaAs per applicazioni elettroniche, proprietà di nano-strutture di carbonio
per applicazioni energetiche e funzionalizzazioni di superfici di Si per
applicazioni biomediche.
Oltre la letteratura allegata alla domanda, si rende noto che al momento
della presentazione della stessa erano in corso di stampa altri tre lavori di
cui due articoli su riviste internazionale indicizzati ISI , sottoposti a peer
review e accettati per la pubblicazione (disponibili provvisoriamente sui
rispettivi siti web come articoli “just accepted” o “article in press”) e un
capitolo su libro, successivamente pubblicato a dicembre 2012, come da
elenco che segue e come specificato nella lista delle pubblicazioni.
-) G. Zollo, F. Gala. ”Atomistic modeling of gas adsorption in nanocarbons”,
Journal of Nanomaterials, article in press, web:
http://www.hindawi.com/journals/jnm/aip/152489/;
-) F. Gala, G. Zollo. “Work Function Dependence on the Adhesion
Configuration of Self-Assembled Alkyl-Silane Coatings of (111) Silicon
Surface”, Journal of Physical Chemistry C, DOI: 10.1021/jp3073624, web:
http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/jp3073624;
-) G. Zollo, F. Gala, “Theory and simulation of gas absorption in carbonaceous
nano-structures”, in Carbon nanomaterials for gas adsorption, edited
by M.L. Terranova, S. Orlanducci and M. Rossi - in press.
B3 Descrizione dell’attività scientifica.
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
L’attività scientifica svolta dallo scrivente si è sviluppata prevalentemente
secondo tre linee principali di ricerca toccando argomenti di carattere sia
sperimentale che teorico-simulativo
I. Proprietà elettroniche e strutturali di semiconduttori composti irradiati
con fasci energetici.
E’ stato affrontato lo studio di un processo innovativo di annealing (LPPLA:
Low-Power Pulsed-Laser Annealing) basato sull’utilizzo di fasci laser impulsati,
con particolare riferimento alla sua applicabilità a semiconduttori
composti, quali GaAs e InP, CdS precedentemente sottoposti ad impiantazione
ionica con un fascio di specie drogante. I risultati conseguiti hanno
dimostrato l’efficacia di tale tecnica e la possibilità di un suo utilizzo tecnologico
nella produzione di dispositivi elettronici basati su tali semiconduttori.
I materiali studiati sono stati caratterizzati sia per ciò che riguarda le proprietà
strutturali che elettriche mediante tecniche di microscopia e di diffrazione
elettronica e misure di conducibilità e mobilità dei portatori.
Questa ricerca, iniziata mediante un approccio prettamente teorico-simulativo
con lo svolgimento della tesi di laurea (1992), è proseguita in ambito
essenzialmente sperimentale affrontando tematiche riguardanti la misura
di parametri elettrici e la caratterizzazione strutturale mediante microscopia
elettronica in trasmissione ad alta risoluzione (HRTEM: High
Resolution Transmission Electron Microscopy) di semiconduttori composti
sottoposti a irradiazione mediante fasci ionici energetici e fasci laser impulsati.
Quest’ultima attività è stata argomento centrale della dissertazione
per il conseguimento del titolo di Dottore di Ricerca (1996) ed è stata svolta
in collaborazione con la Prof. D. Manno dell’Università di Lecce e
l’Accademia Bulgara delle Scienze. Lo studio delle proprietà di semiconduttori
irradiati con fasci ionici e laser è tuttora in corso e particolare attenzione
viene rivolta alla implementazione di tecniche di misura delle energie di
attivazione di trappole profonde in semiconduttori composti. A questo proposito
una gran parte del lavoro sperimentale profuso dello scrivente nell’ultimo
periodo ha riguardato l’attività di realizzazione, sviluppo e validazione
di un apparato sperimentale per la misura delle energie di attivazione
pag. 7
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
dei portatori e delle energie di ionizzazione delle trappole mediante l’acquisizione
di transienti di foto-corrente (PICTS: Photo-Induced Current
Transient Spectroscopy) in InP irradiato in atmosfera controllata.
II. Simulazioni atomistiche
Questa linea di ricerca, attiva sin dall’anno 2000, ha preso spunto dallo
studio del danneggiamento residuo mediante HRTEM in campioni di GaAs
impiantati. Come noto, la microscopia elettronica ad alta risoluzione consente
una visualizzazione diretta del potenziale reticolare proiettato. La
distribuzione spaziale del potenziale proiettato, tuttavia, può essere direttamente
interpretata in termini di posizioni atomiche solo con l’ausilio di
tecniche di simulazione delle immagini, avvalendosi, nel contempo, di
opportuni modelli atomistici delle strutture osservate. L’interpretazione
delle immagini e lo studio della struttura atomistica dei difetti richiede,
pertanto, in primo luogo, un approccio di carattere teorico-simulativo volto
alla definizione e alla caratterizzazione di opportuni modelli atomistici di
interesse.
Pur nascendo da motivazioni di supporto interpretativo all’attività sperimentale,
l’impegno dello scrivente in questo campo si è, col tempo, consolidato
assumendo il carattere di linea di attività a se’ stante. In questo
campo, lo scrivente si è cimentato con le principali tecniche di simulazione
atomistica attualmente disponibili.
In questo ambito si è innanzitutto affrontato il problema della definizione
delle proprietà di interstiziali intriseci in matrici di GaAs; successivamente
si sono affrontati temi riguardanti la stabilità e le proprietà di aggregati di
difetti puntuali (interstiziali e antisiti) e la cinetica di cattura, aggregazione
e rilascio di singoli interstiziali da parte di aggregati stabili. A tale scopo si
sono utilizzati approcci puramente classici, come dinamica molecolare
classica, totalmente quantistici, come ad esempio calcoli di energia totale
“ab-initio” basati sulla teoria del funzionale densità, oppure tecniche di
complessità intermedia, come dinamica molecolare tight-binding; quest’ultima,
in particolare, si è rivelata particolarmente adatta allo studio di
aggregati di dimensioni sub-nanometriche in quanto, configurandosi come
il miglior compromesso tra accuratezza dell’approccio e costo computaziopag.
8
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
nale, può garantire la gestione di strutture osservabili.
Per le ricerche condotte ci si è parzialmente avvalsi in fase iniziale di collaborazioni
sia nazionali che internazionali sulle tecniche di volta in volta
scelte per la trattazione di specifici problemi. In tale ambito s’inquadra l’attività
svolta presso il Gruppo d’Eccellenza di Fisica Computazionale
(COMP) del Laboratorio di Fisica presso l’Università Tecnica di Helsinki
(attualmente Aalto University). Successivamente l’attività di fisica computazionale
è proseguita in modo autonomo affrontando diversi temi inerenti
lo studio di materiali e nano-strutture per applicazioni nel campo elettronico,
optoelettronico, energetico e di bio-sensing: lo studio di interstiziali
intrinseci in GaAs e dei loro meccanismi di aggregazione e migrazione allo
scopo di fornire un una solida base teorica alle osservazioni ottenute
mediante microscopie elettronica ad alta risoluzione; lo studio delle modificazioni
strutturali indotte da fasci energetici nella composizione di superreticoli
Si-Ge; lo studio delle proprietà di coatings organici su superfici di
silicio idrogenate allo scopo di chiarire alcune proprietà sia di natura strutturale
che elettroniche di film organici auto-assemblanti di interesse in
applicazioni di micro-fluidica e di bio-sensing; lo studio delle proprietà di
nano-strutture di carbonio, essenzialmente nanotubi a parete singola, per
applicazioni energetiche sia come mezzi assorbenti di metano o idrogeno
sia come nano-strutture in grado di catalizzare reazioni di dissociazione di
idrocarburi per la produzione di idrogeno.
III. Proprietà strutturali di film sottili e nano-strutture in matrici di semiconduttori.
La ricerca in questo campo si è svolta in stretta collaborazione con diversi
gruppi di istituti italiani e stranieri tra cui l’Istituto di Fisica dello Stato
Solido dell’Accademia delle Scienze Bulgara e il Dipartimento di Scienza
dei Materiali dell’Università di Lecce. Tale attività riguarda essenzialmente
lo studio delle proprietà strutturali di precipitati nano-metrici di natura
metallica ottenuti mediante impiantazione ionica di semiconduttori e isolanti
di interesse per applicazioni elettroniche. Il sottoscritto si è anche
interessato delle proprietà strutturali di film di ossidi isolanti, cresciuti su
superfici di silicio, per applicazioni nel campo delle tecnologie elettroniche
pag. 9
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
(memorie ad alto impacchettamento).
Le tematiche descritte sono state affrontate dal punto di vista sperimentale
mediante tecniche convenzionali, come ad esempio diffrazione RHEED
(Reflection High Energy Electron Diffraction) e microscopia elettronica per
trasmissione, oppure avanzate come nel caso della microscopia elettronica
ad alta risoluzione di sezioni trasversali (XHRTEM: Cross-Sectional High
Resolution Transmission Electron Microscopy).
Sono stati attuati esperimenti d’impiantazione ionica di Si con diverse specie
metalliche caratterizzate da diversi valori di diffusività e solubilità in Si;
le dosi di impiantazione sono state variate da un minimo di 1013-1014
ioni/cm2 a valori di 1018 ioni/cm2. L’osservazione delle proprietà strutturali
risultanti ha permesso di definire le condizioni sperimentali per la sintesi
di precipitati metallici di dimensione nano-metrica in matrici di Si direttamente
durante la fase di impiantazione, senza che ciò richieda un ulteriore
trattamento di annealing termico.
Le proprietà fisiche e nano-strutturali di tali precipitati possono differire
drasticamente dalle proprietà di bulk delle specie impiantate e risultano,
pertanto, interessanti sia dal punto di vista fondamentale che applicativo
con particolare riferimento alla sintesi di nano-strutture per il confinamento
quantico.
Mediante le stesse tecniche d’indagine strutturale si sono studiate le proprietà
di film di isolanti con elevata costante dielettrica su substrati di Si
allo scopo di tracciare una strada alternativa per lo sviluppo della tecnologia
del Si a scale di integrazione ultra-elevate (ULSI: Ultra Large Scale of
Integration).
A tale scopo si è contribuito alla caratterizzazione dei processi di crescita e
ricottura necessari per ottenere dei film con le opportune proprietà di isolamento.
Sono state inoltre affrontate altre problematiche scientifiche, nell’ambito di
collaborazioni con altri gruppi di ricerca e connesse in parte con le precedenti
linee di ricerca, in particolare per quanto riguarda metodologie di
trattamento e tecniche di caratterizzazione.
Trattandosi di problematiche talvolta assai diverse tra di loro, si preferisce,
pag. 10
B - Attività scientifica Dott. Giuseppe ZOLLO
pag. 11
Dott. Giuseppe ZOLLO
per scelta di brevità, rimandare direttamente alle pubblicazioni per maggiori
dettagli descrittivi.
In ogni caso gli ulteriori argomenti trattati possono essere indicativamente
raccolti in due tematiche generali riguardanti:
• Modificazioni strutturali di film superficiali indotte da irradiazione
laser impulsata
in materiali diversi dai semiconduttori III-V (argomento della linea di ricerca
I).
• Applicazione di tecniche di microscopia e diffrazione elettronica per
la caratterizzazione di materiali tecnologicamente avanzati con particolare
riferimento alla caratterizzazione cristallografica di film di ZnO per applicazioni
nel campo della sensoristica, e di GaN per l’elettronica veloce.
L’attività di ricerca brevemente descritta si è sviluppata e modificata con
continuità e, pertanto, evidenzia un’evoluzione naturale degli interessi
scientifici nell’ambito di un quadro complessivo coerente. Il servizio prestato
presso l’ENEA, tuttavia, ha rappresentato una soluzione di continuità
dell’attività scientifica descritta i quanto lo scrivente è stato impiegato in
programmi di carattere prettamente tecnologico volti al trasferimento alle
imprese di tecniche di saldatura laser. Tuttavia per un breve periodo del
servizio prestato presso l’ENEA lo scrivente si è interessato anche di tematiche
del tutto diverse studiando, mediante la spettroscopia XPS (XPS: Xray
Photoelectron Spectroscopy) la struttura elettronica di composti ternari
e materiali catalitici usati per l'autotrazione elettrica nell’ambito di contratti
conto-terzi;
Nel complesso occorre sottolineare che per le tematiche di ricerca sperimentale
descritte brevemente nelle sezioni precedenti si è fatto ampio uso
di diverse tecniche di microscopia e diffrazione elettronica, di tecniche per
la caratterizzazione elettrica e di struttura elettronica nonché di diverse
tecniche spettroscopiche quali RBS, PICTS, XPS, utilizzando la complementarità
delle informazioni che esse sono in grado di fornire.
B - Attività scientifica
Per quanto riguarda invece la parte di attività teorico simulativa nel campo
della scienza dei materiali, lo scrivente ha utilizzato e definito standard di
simulazione atomistica nell’ambito di differenti approcci, classico, quantistico
semi-empirico e totalmente quanto-meccanico.
Sulla base di queste brevi informazioni è chiaramente desumibile il contributo
individuale fornito ai lavori pubblicati caratterizzato da un elevato
fattore di proprietà (articoli/numero di autori) specialmente per quanto
riguarda l’ultimo decennio.
C -Progetti di ricerca e attività organizzativa e di coordinamento
Progetti nazionali e internazionali
• 2001-2002: Programma di scambio Marie Curie Fellowship della Comunità
Europea (MCIFI-2000-00959)- Mesi 12- Responsabile scientifico
• PRIN 2004. TECNICHE E METODOLOGIE DI CARATTERIZZAZIONE DI
NANOMATERIALI A BASE-CARBONIO. Coordinatore Scientifico: TERRANOVA
PERSICHELLI Maria Letizia – Mesi 24 – Partecipante
• PRIN 2008, Metodologie di caatterizzazione e simulazione di materiali
nanostrutturati per fotocatodi e dispositivi ad emissione di campo.
Coordinatore Scientifico: PALUMBO Luigi; Mesi 24 – Partecipante
• Responsabile di ricerca relativamente a vari progetti che hanno ricevuto
finanziamenti dall’Ateneo di appartenenza (dal 2001).
attività arganizzative di coordinamento
• 2003-2006 rappresentante eletto dei ricercatori presso la Commissione per
la Programmazione del Personale Docente della Facolta’ di Ingegneria
dell’Universita’ degli Studi di Roma “La Sapienza”.
• Membro eletto della Giunta del Dip. di Energetica.
• membro eletto nella commissione giudicatrice del concorso per la valutazione
comparativa a un posto di Ricercatore (raggruppamento Fis/01) presso
il Politecnico di Bari (aprile-luglio 2003).
pag. 12
C -Progetti e attività organizzativa Dott. Giuseppe ZOLLO
• Dall’anno 2001 al 2011 ha coordinato e organizzato attività didattiche di
supporto occupandosi di metodologie di didattica delle scienze fisiche via
web del dipartimento di appartenenza.
• Membro del collegio dei docenti del Dottorato in “Elettromagnetismo e
Modelli matematici per l’Ingegneria” che ha sede presso il Dipartimento di
Scienze di base e Applicate per l’Ingegneria dell’Università degli studi di
Roma “La Sapienza”;
• Relatore di numerose tesi di laurea, sia di Base che Magistrali, su temi sia
sperimentali che teorico-simulativi riguardanti la fisica dei semiconduttori e
delle nanostrutture e le proprietà di materiali nano-strutturati innovativi.
• Docente guida di dottorandi di ricerca in “Elettromagnetismo e Modelli
matematici per l’Ingegneria”.
pag. 13
C -Progetti e attività organizzativa Dott. Giuseppe ZOLLO
pag. 14
D- Attività didattica Dott. Giuseppe ZOLLO
D - Attività didattica
Il sottoscritto ha svolto la seguente attivita’ di docenza:
1993: Fisica presso i licei scientifico e classico dell’istituto
L.Pirandello di Roma;
1994-1995: Elettronica Industriale e Tecnologie Elettroniche presso
l’I.T.I. J.C.Maxwell di Roma.
a.a. 1995-96: Professore incaricato di Fisica I presso l’Universita’ degli
Studi di Roma “La Sapienza” a seguito del conferimento di un
contratto di insegnamento da parte della Facolta’ di
Ingegneria dell’Universita’ degli Studi di Roma “La Sapienza”
per il corso di Diploma Universitario in Ingegneria
dell'Ambiente e delle Risorse-Sede di Latina (60 ore di didattica
frontale)
Lo scrivente ha avuto in affidamento dalla Facoltà di Ingegneria dell’Università
degli Studi di Roma “La Sapienza” i seguenti corsi di insegnamento:
a.a. 1999-2000: Fisica II per il Diploma Universitario in Ingegneria
Informatica dell'Universita' degli studi di Roma "La
Sapienza"- Sede di Roma (60 ore di didattica frontale);
a.a. 2000-01: Fisica I per il Corso di laurea in Ingegneria Civile
dell'Universita' degli Studi di Roma "La Sapienza" - Sede di
Roma (60 ore di didattica frontale-6 cfu);
a.a. 2001-02: Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria Gestionale
dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza" - Sede di
Roma (10 cfu);
a.a. 2002-03: Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria Gestionale
dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza" - Sede di
Roma (10 cfu);
a.a. 2003-04: Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria Gestionale
dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza" - Sede di
Roma (10 cfu);
a.a. 2003-04: Laboratorio di Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu equivalenti);
a.a. 2004-05: Docente del corso integrato di Fisica Moderna II per il corso
pag. 15
Dott. Giuseppe ZOLLO
di Laurea Specialistica in Scienze per l'Ingegneria" presso la
Facolta' di Ingegneria dell'Universita' degli Studi di Roma "La
Sapienza" (2.5 cfu).
a.a. 2004-05: Fisica Generale I per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu);
a.a. 2005-06: Fisica Generale I per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu);
a.a. 2005-06: Docente del corso integrato di Fisica Moderna II per il corso
di Laurea Specialistica in Scienze per l'Ingegneria" presso la
Facolta' di Ingegneria dell'Universita' degli Studi di Roma "La
Sapienza" (2.5 cfu).
a.a. 2006-07: Fisica Generale I per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu);
a.a. 2006-07: Laboratorio di Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu equivalenti);
a.a. 2006-07: Docente del corso integrato di Fisica Moderna II per il corso
di Laurea Specialistica in Scienze per l'Ingegneria" presso la
Facolta' di Ingegneria dell'Universita' degli Studi di Roma "La
Sapienza" (2.5 cfu).
a.a. 2007-08: Fisica Generale II per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu);
a.a. 2007-08: Laboratorio di Fisica per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (6 cfu equivalenti);
a.a. 2008-09: Fisica Generale II per il Corso di laurea in Ingegneria
Meccanica dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"-
Sede di Roma (9 cfu equivalenti);
a.a. 2008-09: Tecniche e Modelli di Simulazioni atomistiche per il
Corso di laurea in Ingegneria delle Nanotecnologie Industriali
dell'Universita' degli studi di Roma "La Sapienza"- Sede di
Roma (9 cfu equivalenti);
a.a. 2009-10: Professore di Fisica Generale II per il Corso di laurea in
Ingegneria Meccanica – sede di Roma (9 cfu); Professore di
Tecniche e Modelli di Simulazioni atomistiche per il
Corso di laurea in Ingegneria delle Nanotecnologie Industriali
(9 cfu); gli insegnamenti sono stati impartiti presso la
Facoltà di Ingegneria dell'Università degli Studi di Roma "La
BD- Attività didattica
pag. 16
D- Attività didattica Dott. Giuseppe ZOLLO
Sapienza";
a.a. 2010-11: Professore di Tecniche e Modelli di Simulazioni atomistiche
per il Corso di laurea in Ingegneria delle Nanotecnologie
(9 cfu) presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università degli
Studi di Roma "La Sapienza";
a.a. 2011-12: Professore di Fisica Generale II per il Corso di laurea in
Ingegneria Elettrotecnica – sede di Roma (9 cfu); Professore di
Tecniche e Modelli di Simulazioni atomistiche per il
Corso di laurea in Ingegneria delle Nanotecnologie Industriali
(9 cfu); gli insegnamenti sono stati impartiti presso la Facoltà
di Ingegneria dell'Università degli Studi di Roma "La
Sapienza";
a.a. 2012-13: Professore di Tecniche e Modelli di Simulazioni atomistiche
per il Corso di laurea in Ingegneria delle Nanotecnologie
Industriali (6 cfu); gli insegnamenti sono stati impartiti presso
la Facoltà di Ingegneria dell'Università degli Studi di Roma
"La Sapienza";
I corsi di laurea di Base di Fisica (Generale, I, II etc) sono stati frequentati da
un numero di studenti compreso, a seconda dei corsi di laurea, tra 100 e 200.
I corsi di laurea di Base di Laboratorio di Fisica sono stati frequentati da un
numero di studenti pari a circa 50. I corsi di laurea specialistica o magistrale
(Fisica Moderna II, Tecniche e Modelli di Simulazioni Atomistiche) sono stati
frequentati da un numero di studenti compreso tra 10 e 40.
Ognuno dei corsi finora tenuti e’ stato frequentato da un numero di studenti
compreso, a seconda dei corsi di laurea, tra 100 e 200.
pag. 17
Dott. Giuseppe ZOLLO
Pubblicazioni su riviste internazionali sottoposte a procedura
di valutazione “peer-review” anonima .
1) G. Zollo, L Palumbo, M.Rossi, G.Vitali, “Temperature Behavior
of Implanted and Pulsed Laser Irradiated GaAs”, Appl. Phys. A 56 (1993)
409, Springer-Verlag GmbH - ISSN: 0947-8396
2) G. Vitali, C. Pizzuto, M. Rossi, G. Zollo, D. Karpuzov, M.
Kalitzova, “Laser Induced Reduction of Carrier activation energy in Znimplanted
GaAs”, Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 2762, Part1, N° 5A, May
1994, Institute of Pure and Applied Physics- ISSN:0021-4922.
3) G. Vitali, G. Consalvi, M. Rossi, C. Pizzuto, G. Zollo, M. Kalitzova,
“Random and Channeled Ion-damage Distribution in Zn+ implanted
GaAs by Electron Microscopy”, Rad. Eff. and Defects in Solids, 132
(1994) 19, Taylor & Francis Publisher (precedentemente Gordon and
Breach Science Publisher S.A.)- ISSN: 1042-0150 .
4) G. Vitali, M. Rossi, G. Zollo, C. Pizzuto, N. Pashov, M. Kalitzova,
“Lattice electron microscopy and image processing of ion-implanted and
laser annealed GaAs structures”, Microsc. Microan. and Microstruct., 6
(1995) 483, EDP Sciences Publisher- ISSN: 1154-2799.
5) G. Vitali, M. Rossi, C. Pizzuto, G. Zollo and M. Kalitzova, “Low
Power Pulsed Laser Annealing of Zn+ implanted InP: first endeavours”,
Mater. Sci. & Eng. B, 38 (1996) 72, Elsevier Science Publisher - ISSN:
0921-5107.
6) G. Vitali, L. Palumbo, M. Rossi, G. Zollo, C. Pizzuto, L. Di
Gaspare and F. Evangelisti, “Solid Phase Epitaxy Induced by Low-Power
Pulsed-Laser Annealing of III-V Compound Semiconductors”, Phys. Rev.
B 15 (1996) 4757, The American Physical Society Publisher -ISSN: 0163-
1829.
7) M. Kalitzova, S. Simov, R. Yankov, Ch. Angelov, G. Vitali, M.
Rossi, C. Pizzuto, G. Zollo, J. Fauré, L. Killian and P. Bonhomme,
“Amorphization and crystallization in high-dose Zn+ implanted Silicon”,
J. Appl. Phys, 81 (1997) 1143, The American Institute of Physics
Publisher- ISSN: 8821-0879.
8) G. Vitali, C. Pizzuto, G. Zollo, D. A. Lucca and L. De Luca, “Lowpower
pulsed-laser annealing of the damaged surface layer of chemomechanically
polished CdS, Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 1558, Institute of
E - Pubblicazioni
Pure and Applied Physics- ISSN:0021-4922.
9) G. Vitali, G. Zollo, C. Pizzuto, M. Rossi, D. Manno and M.
Kalitzova, “Cross-sectional high resolution electron microscopy of Zn
implanted and low-power pulsed-laser annealed GaAs”, Appl. Phys. Lett.
26 (1996) 4072, The American Institute of Physics- ISSN: 0003-6951.
10) Ts. Marinova, A. Kakanakova-Georgieva, M. Kalitzova, G. Vitali,
C. Pizzuto and G. Zollo,”XPS depth profiling of laser-annealed Zn+-
implanted GaAs” Appl. Surf. Sci. 109/110 (1997) 80, North Holland,
Elsevier Science Publisher- ISSN: 0169-4332.
11) M. Kalitzova, D. Karpuzov, Ts. Marinova, V. Krastev, G. Vitali, C.
Pizzuto and G. Zollo, “InP crystal ion-implantation and Laser anealing:
RHEED, XPS and computer simulation studies”, Appl. Surf. Sci.
117/118 (1997) 1, North Holland, Elsevier Science Publisher- ISSN:
0169-4332.
12) C. Pizzuto, G. Zollo, G. Vitali, D. Karpuzov and M. Kalitzova,
“Activation of electrical carriers in Zn-implanted InP by low-power pulsed
laser annealing”, J. Appl. Phys. 82 (1997) 5334, The American Institute
of Physics Publisher- ISSN: 8821-0879.
13) G. Vitali, C. Pizzuto, G. Zollo, “Effects of Low-Power Pulsed-
Laser Annealing on Electrical Properties of Zn-Implanted InP”, Solid
State Comm. 106 (1998) 421, Pergamon Press, Elsevier Science
Publisher, ISSN: 0038-1098.
14) G. Vitali, C. Pizzuto, G. Zollo, D. Karpuzov, M. Kalitzova, P. van
der Heide, G. Scamarcio, V. Spagnolo, L. Chiavarone, D. Manno,
"Structural Reordering and Electrical Activation of Ion-Implanted GaAs
and InP due to Laser Annealing in a Controlled Atmosphere", Phys. Rev.
B 59 (1999) 2986, The American Physical Society Publisher -ISSN: 0163-
1829.
15) C. Pizzuto, G. Zollo, G. Vitali, "Electrical Activation in Zn+
Implanted and Low-Power Pulsed-Laser Annealed InP in Nitrogen
Atmosphere", J. Mat. Sci.: Materials in Electronics 10 (1999) 407,
Springer Science + Business Media B.V. (precedentemente Kluwer
Academic Publisher B.V.)- ISSN: 0957-4522.
16) C. Pizzuto, G. Vitali, G. Zollo, M. Kalitzova, "Effects of the
Annealing Atmosphere on the Electrical Properties of Low-Power Pulsed-
Laser Annealed Zn-Implanted InP", Vacuum 58 (2000) 516, Elsevier
pag. 18
Dott. Giuseppe ZOLLO
Science Publisher- ISSN: 0042-207X.
17) A. Dinia, G. Zollo, C. Pizzuto, G. Vitali, M. Kalitzova, "In depth
Characterisation of Electrical Carriers Activation in Zn+ implanted and
Laser Annealed InP", Solid State Comm. 113 (2000) 385, Pergamon
Press, Elsevier Science Publisher, ISSN: 0038-1098.
18) G. Zollo, C. Pizzuto, G. Vitali, M. Kalitzova, D. Manno, "High
Resolution Transmission Electron Microscopy of Elevated Temperature
Zn+ Implanted and Low-Power Pulsed-Laser Annealed GaAs", J. Appl.
Phys. 88 (2000) 1806, The American Institute of Physics Publisher- ISSN:
8821-0879.
19) M. Tzolov, N. Tzenov, D. Dimova-Malinovska, M. Kalitzova, C.
Pizzuto, G. Vitali, G. Zollo, I. Ivanov, " Vibrational Properties and
Structure of Undoped and Al-doped ZnO Films Deposited by RF
Magnetron Sputtering", Thin Solid Films 219 379 (2000) 28, Elsevier
Science Publisher - ISSN: 0040-6090.
20) M. Kalitzova, G. Zollo, R. Yankov, Ch. Angelov, S. Simov, C.
Pizzuto, J. Faurè, L. Kilian, P. Bonhomme, D. Manno, M. Voelskov, G.
Vitali, "Ion-Beam Assisted Nanocrystal Formation in Silicon Implanted
with High Doses of Pb+ and Bi+ Ions", Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) 584,
Institute of Pure and Applied Physics- ISSN:0021-4922.
21) G. Zollo, "XHRTEM Observations of Different Damage Structures
in High Temperature Zn+ Implanted GaAs", Vacuum, Volume: 69, Issue:
1-3, December 24, 2002, pp. 97-101, Elsevier Science Publisher- ISSN:
0042-207X.
22) P. Bankov, M. Kalitzova, D. Karpuzov, G. Zollo, G. Vitali, C.
Pizzuto, Ch. Angelov, J. Faure, L. Kilian, "Dose dependent dynamics of
nanocluster distribution in silicon implanted with Te+ e Pb+ ions: computer
simulation and TEM study", Vacuum, Volume: 69, Issue: 1-3,
December 24, 2002, pp. 455-460, Elsevier Science Publisher- ISSN:
0042-207X.
23) G. Zollo, G.Vitali, C.Pizzuto, D.Manno, M.Kalitzova,
"Temperature and ion flux dependance of damage structures in Zn+
Implanted and Laser Annealed GaAs", Journal of Physics D: Applied
Physics, Volume: 35, Issue: 21, November 07, 2002, pp. 2830-2836, The
Institute of Physics Publisher- ISSN: 0022-3727.
24) M. Tzolov, N. Tzenov, D. Dimova-Malinovska, M. Kalitzova, C.
pag. 19
Dott. Giuseppe ZOLLO
Pizzuto, G. Vitali, G. Zollo, I. Ivanov, "Modification of the Structure of
ZnO:Al films by control of the plasma parameters", Thin Solid Films 396
(2001) 274, Elsevier Science Publisher - ISSN: 0040-6090.
25) G. Zollo, R. Nieminen "Small self-interstitial clusters in GaAs",
Journal of Physics: Condensed Matter, Volume: 15, Issue: 6, February
19, 2003, pp. 843-853, The Institute of Physics Publisher- ISSN: 0953-
8984.
26) A. Atanassova, M. Kalitzova, G. Zollo, A. Paskaleva, A. Peeva, M.
Georgieva, G. Vitali, “High temperature Induced Crystallization in tantalum
pentoxide layers and its influence on the electrical properties”, Thin
Solid Films, 426 (2003) 191, Elsevier Science Publisher - ISSN: 0040-
6090.
27) G. Zollo, G. Vitali, M. Kalitzova, D. Manno, "High resolution
Electron Microscopy of Zn and Bi related superlattices ion ion implanted
(100) Si", J. Mat. Sci.: Materials in Electronics 14 (2003) 783, Springer
Science + Business Media B.V. (precedentemente Kluwer Academic
Publisher B.V.)- ISSN: 0957-4522.
28) G. Zollo, J. Tarus, R. Nieminen, "Reliability of analytical potentials
for point-defect simulation in GaAs", J. Phys.: Condens. Matter 16, 3923
(2004), The Institute of Physics Publisher- ISSN: 0953-8984.
29) J. Tarus, G. Zollo, "Ion-irradiation Induced effects in SimGen
superlattices", Phys. Rev. B 69 (2004) 235307, The American Physical
Society Publisher -ISSN: 0163-1829.
30) G. Zollo, M. Kalitzova, D. Manno and G. Vitali, "Precipitation of
superstructured nano-crystals in high-dose implanted Si: an XHRTEM
study", J. Phys. D: Appl. Phys. 37 (2004) 2730-2736, The Institute of
Physics Publisher- ISSN: 0022-3727.
31) M. Kalitzova, K. Gesheva, E. Vlakhov, Y. Marinov, D. Gogova, T.
Ivanova, Ch. Angelov, M. Pashov, G. Zollo, G. Vitali, "High Frequency
Electromagnetic Field Processing of Amorphous Si layers containing
Nanoclusters Produced by Implantation of Metal Ions in Si(100) Matrix",
Nucl. Istr. & Meth. Phys. Res. B, 229 (2005) 65, Elsevier Science
Publisher- ISSN: 0168-583X.
32) G. Zollo, Y. J. Lee, R. M. Nieminen; "Properties of intrinsic diinterstitials
in GaAs", J. Phys: Condens. Matter 16 (2004) 8991, The
Institute of Physics Publisher- ISSN: 0953-8984.
pag. 20
Dott. Giuseppe ZOLLO
33) M. Volpe, G. Zollo, L. Colombo, "Structural, electronic and energetic
properties of small self-interstitial clusters in GaAs by tight-binding
molecular dynamics", Phys. Rev. B 71, 075207 (2005), The American
Physical Society Publisher -ISSN: 0163-1829.
34) M. Kalitzova, A. Peeva, V. Ignatova, O.I. Lebedev, G. Zollo, G.
Vitali "Ion beam synthesis of Te and Bi nanoclusters in silicon: The
effect of post-implantation high frequency electromagnetic field", Nucl.
Istr. & Meth. Phys. Res. B, 242 (2006) 209-213, Elsevier Science
Publisher- ISSN: 0168-583X
35) D. Gogova, D. Siche, B. Monemar, P. Gibart, L. Dobos, B. Pécz, F.
Tuomisto, R. Bayazitov and G. Zollo, “Optical and Structural Studies of
High-quality Bulk-like GaN Grown by HVPE on a MOVPE AlN Buffer
Layer”, Semicond. Sci. Technol. 21 (2006) 702-708, The Institute of
Physics Publisher- ISSN 0268-1242.
36) A. Peeva, M. Kalitzova, G. Beshkov, G. Zollo, G. Vitali, W.
Skorupa “Thermal Evolution of Nanoclusters in Ge+ Ion implanted
Ta2O5 Layers, Materials Letters 61 (2007) 3620-3623, Elsevier Science
Publisher- ISSN 0167-577X
37) G. Zollo, G. Leahu, “Electrical and Optical properties of Zn-implanted
InP Laser annealed in Nitrogen Atmosphere”, Semicond. Sci. Technol. 22
(2007) 292-297, The Institute of Physics Publisher- ISSN 0268-1242.
38) G. Zollo, F. Gala, “Stability of I3 complexes in III-V compound semiconductors
by tight-binding molecular dynamics”, Phys. Rev. B 75,
115205 (2007) , The American Physical Society Publisher -ISSN: 0163-
1829.
39) G. Zollo, F. Gala, “Properties of charged intrinsic di-interstitials in
GaAs”, Phys. Rev. B 77, 094125 (2008), The American Physical Society
Publisher -ISSN: 0163-1829.
40) K. A. Gesheva, T. Ivanova, B. Marsen, G. Zollo, M. Kalitzova, “Vapor
growth of electrochromic thin films of transition metal oxides”, J. Crystal
Growth 310 (2008) 2103-2109, Elsevier Science Publisher- ISSN (printed):
0022-0248.
41) M. Kalitzova , O. I. Lebedev, G. Zollo, K. Gesheva, E. Vlakhov, Y.
Marinov, T. Ivanova, “Dynamics of Nanoclustering in Te+ Implanted Si
after Application of High Frequency Electromagnetic Field and Thermal
Annealing”, Appl. Phys. A 91, 515-519 (2008); Springer Science +
pag. 21
Dott. Giuseppe ZOLLO
Business Media B.V. (precedentemente Kluwer Academic Publisher B.V.)-
ISSN: 0947-8396
42) F. Gala, G. Zollo, “Nucleation and first-stage growth processes of
extrinsic defects in GaAs triggered by self-interstitials”, Phys. Rev. B 80,
174113 (2009); the American Physical Society Publisher -ISSN: 0163-
1829
43) M. Chinappi, F. Gala, G. Zollo, C. Casciola, “Intrinsic slip on
hydrophobic self-assembled monolayer coatings”, Phil. Trans. R. Soc. A,
369 2537-2545 (2011) doi: 10.1098/rsta.2011.0088.
44) F. Gala, G. Zollo, “Functionalization of hydrogenated (111) silicon
surface with hydrophobic polymer chains”, Phys. Rev. B 84, 195323
(2011) doi: 10.1103/PhysRevB.84.195323
45) F. Bagolini, F. Gala, G. Zollo, “Methane cracking on single wall carbon
nanotubes studied by semi-empirical tight binding simulations”,
Carbon 50 (2012) 411-420 doi:10.1016/j.carbon.2011.08.054.
46) G. Zollo, F. Gala, “Migration barriers of neutral As di-interstitials in
GaAs”, New J. Phys. 14 (2012) 053036, doi:10.1088/1367-
2630/14/5/053036.
47) F. Gala and G. Zollo, “Work Function Dependence on the Adhesion
Configuration of Self-Assembled Alkylsilane Coatings of a (111) Silicon
Surface” The Journal of Physical Chemistry C 2012 116 (47), 24935-
24942, DOI: 10.1021/jp3073624;
48) G. Zollo and F. Gala, “Atomistic Modeling of Gas Adsorption in
Nanocarbons”, Journal of Nanomaterials, 2012, Volume 2012, article ID:
152489, 32 pages doi:10.1155/2012/152489;
49) S. Mirabella, M. Celino and G. Zollo, “GCMC simulation of hydrogen
adsorption in densely packed arrays of Li-doped and hydrogenated carbon
nanotubes”, Journal of Nanoparticle Research (2013) 15 2071, DOI:
10.1007/s11051-013-2071-x
50) F. Gala and G. Zollo, “Augmented Methane Adsorption at Ca
Decorated Carbon Nanotubes- a DFT study”, Journal of Physics D:
Applied Physics, 47 (2014) 075305 doi:10.1088/0022-
3727/47/7/075305.
51) F. Gala, G. Zollo, “Atomistic Characterization of SAM Coatings as
Gate insulators in Si-Based Fet Devices”, Proceedings of Nanoforum IX,
(2013) submitted for publication
pag. 22
Dott. Giuseppe ZOLLO
Contributi su libri, rapporti e contributi su invito.
1) G. Zollo, L. Palumbo, M.Rossi, G.Vitali: Unidimensional Theoretical
Analysis of Heat Transmission on Laser Irradiated Semiconductors,
Proceedings of the VIII International School on Condensed Matter
Physics, Eds J. M.Marshall, N. Kirov, A. Vavrek World Scientific
Publishing Co., Singapore, May 1993.
2) M.Kalitzova, R. A. Yankov, S. Simov, Ch. Angelov, G. Vitali, C.
Pizzuto, G. Zollo, D. Manno, J. Faure', L. Kilian, P. Bonhomme, “Ion
Beam Induced Crystallization and Amorphization in Zn+ Implanted
Silicon”, J. Phys. Studies 2 (1998) 205, West Ukranian Physical Society
Publisher, ISSN: 1027-4642
3) G. Zollo, F. Gala, “Theory and simulation of gas absorption in carbonaceous
nano-structures”, in “Carbon nanomaterials for gas adsorption”,
edited by M.L. Terranova, S. Orlanducci and M. Rossi – p. 291-332
(2013), Singapore: Pan Stanford Publishing Pte. Ltd. ISBN: 978-981-
4316-43-9 (Hardcover), 978-981-4364-19-5 (ebook).
4) F. Gala, G. Zollo (2012). “Hydrophobic coatings on hydrogenated (111)
silico surface”. In: -. High performance computing on CRESCO infrastructure:
research activities and results 2010-2011. p. 53-63, FRASCATI-
ROMA:Delinda Piccinelli. Enea, UTICTR-PRA, Cr FRASCATI, ISBN:
9788882862688
5) G. Zollo, F. Gala (2012). “Calculation of di-interstitial diffusion barriers
in GaAs by density functional theory”. In: -. High performance computing
on CRESCO infrastructure: research activities and results 2010-2011. p.
67-76, Frascati- ROMA:Delinda Piccinelli, ENEA, UTICT-PRA, Cr
Frascati, ISBN: 9788882862688
6) S. Mirabella, M. Celino, G. Zollo (2012). “GCMC prediction of hydrogen
storage in Li-doped carbon nanotube arrays”. In: -. High performance
computing on CRESCO infrastructure: research activities and results
2010-2011. p. 125-131, Frascati- ROMA:Delinda Piccinelli, ENEA,
UTICT-PRA, Cr Frascati, ISBN: 9788882862688
pag. 23
Dott. Giuseppe ZOLLO
Principali pubblicazioni su atti di congressi.
A1) C. Pizzuto, G. Vitali, M. Rossi and G. Zollo, Carriers Activation
in Implanted GaAs Treated with a Thermal and Laser Annealing
Combination in "Ion Implantation 1994" eds Coffa, Ferla, Priolo and
Rimini, (1995) 847.
A2) G. Zollo, M. Rossi, C. Pizzuto, N. Pashov, M. Kalitzova and G.
Vitali, “HRTEM Evidence of Extended defetcs disappearing in Low-Power
Pulsed-Laser Annealing III-V Compound Semiconductors”, Atti del XX
Congresso di Microscopia Elettronica, Rimini 1994.
A3) G. Vitali, M. Rossi, G. Zollo, C. Pizzuto, F Evangelisti P. Fiorini,
L. Di Gaspare: “About the Capability of the Low-Power Pulsed-Laser
Annealing to recover the Structural Damage Induced by Ion-
Implantation IN III-V Semiconductors”, Atti del congresso Nazionale di
Fisica della Materia, (1995) 179.
A4) D. Manno, G. Zollo, G. Vitali, M. Kalitzova, Ch. Angelov: “HREM
Study of a Solid Phase Cristallised In Implanted Silicon”, Proceedings of
the European Conference on Electron Microscopy EUREM, Dublino
1996.
A5) P. Ascarelli, R. Giorgi, S. Turtù, G. Zollo, L.Giorgi, E. Antolini,
A.Pozio: Anomalous Behaviour of Surface Chemical Species in Solid
Polymer Fuel Cell Materials Evidenced by XPS, Proceedings of 7th
European Conference on Applications of Surface and Interface Analysis
ECASIA '97, Eds. I.Olefjord, L.Nyborg and D. Briggs, J. Wiley and Sons,
pag.209.
A6) G. Zollo, G.Vitali, C.Pizzuto, M. Kalitzova, D. Manno: XHRTEM of
High Temperature Implanted and Laser Annealed GaAs, Proceedings of
the 14th International Congress on Electron Microscopy ICEM'98,
Cancun (Mexico) August-September 1998, Eds. H.A. Calderon Benavides
and M. Josè Yacaman, Institute of Physics publishing, Vol. III, page 4.
A7) G. Zollo, G.Vitali, D. Manno: “Temperature and Ion-Flux dependance
of damage in Implanted GaAs studied by XHRTEM”, Proceedings
of the 15th International Congress on Electron Microscopy ICEM 15,
Durban (S. Africa) September 2002, Eds. J.Engelbrecht, T.Sewell, M.
Witcomb, R. Cross, P. Richards, published by the Microscopy Society of
pag. 24
Dott. Giuseppe ZOLLO
Southern Africa, Vol. I-Physics and Materials, p. 127.
pag. 25
Dott. Giuseppe ZOLLO