OPTOELECTRONICS
Obiettivi formativi
L’obiettivo del corso intendel fornire una conoscenza solida e coordinata dei fenomeni, dei materiali, dei dispositivi e delle tecniche optoelettroniche, con particolare riferimento alla generazione, rivelazione e processamento di segnali ottici.
Canale 1
ANTONIO D'ALESSANDRO
Scheda docente
Programmi - Frequenza - Esami
Programma
Il corso è centrato su materiali, dispositivi e tecniche di progetto di dispostivi optoelettronici. I principali argomenti del corso sono riportati di seguito (in parentesi il numero di ore orientativo) che includono un parte teorica e un parte di esercitazione.
Proprietà ottiche dei semiconduttori di volume e nanostrutturati (6 ore)
Sorgenti di luce a LED a semiconduttori organici e applicazioni per illuminamento e schemi piatti, confronto con tecnologia a cristallo liquido (6 ore)
Sorgenti di luce LASER (6 ore)
Fotorivelatori a singolo elementi e pixellati (10 ore)
Materiali dielettrici per optoelettronica (vetri, cristalli anisotropi) (2 ore)
Dispoitivi ottici integrati in guida d'onda (8 ore)
Effetti elettro-ottici per modulatori e commutatori di luce, effetto acustoottico per filtri di luce accordabili (6 ore)
Dispositivi nanofotonici basato su materiali a bandgap fotonico (2 ore)
Fibre ottiche: caratteristiche fisiche e di propagazione, tecniche di fabbricazione (6 ore)
Esperienze di laboratorio su sorgenti ottiche e fotorivelatori (4 ore)
Strumenti CAD per la progettazione di dispositivi ottico intgrati (4 ore)
Prerequisiti
Conoscenze di base di Elettronica e Campi elettromagnetici dai corsi di primo livello di lauree L8 o di Fisica
Testi di riferimento
• S.O. Kasap, Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices, Second Edition, 2013, Pearson
• G. P. Agrawal, Lightwave Technology: Components and Devices, Wiley Interscience, 2004
• A. Yariv, Optical Electronics in Modern Communications, Oxford University Press, 1997
• J. Singh, Semiconductor Optoelectronics, McGraw‐Hill, 1995
• P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall, 1994
• H. Nishihara, H. Masamitsu, S. Toshiaki, Optical Integrated Circuits, McGraw‐Hill, 1989
• Appunti di lezione e trasparenti PP proiettati a lezione
• Materiale integrativo (lucidi/diapositive del corso, articoli) disponibile sul sito web
Classroom (richiesta registrazione)
Frequenza
In presenza non obbligatoria ma fortemente consigliata.
Modalità di esame
Esame scritto e orale su due argomenti del corso
Bibliografia
G. P. Agrawal, Lightwave Technology: Components and Devices, Wiley Interscience, 2004
• A. Yariv, Optical Electronics in Modern Communications, Oxford University Press, 1997
• J. Singh, Semiconductor Optoelectronics, McGraw‐Hill, 1995
• P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall, 1994
• H. Nishihara, H. Masamitsu, S. Toshiaki, Optical Integrated Circuits, McGraw‐Hill, 1989
Modalità di erogazione
Lezioni di teoria frontali ed esercitazioni sul dimensionamento di dispositivi optoelettronici con esperienze di laboratorio.
ANTONIO D'ALESSANDRO
Scheda docente
Programmi - Frequenza - Esami
Programma
Il corso è centrato su materiali, dispositivi e tecniche di progetto di dispostivi optoelettronici. I principali argomenti del corso sono riportati di seguito (in parentesi il numero di ore orientativo) che includono un parte teorica e un parte di esercitazione.
Proprietà ottiche dei semiconduttori di volume e nanostrutturati (6 ore)
Sorgenti di luce a LED a semiconduttori organici e applicazioni per illuminamento e schemi piatti, confronto con tecnologia a cristallo liquido (6 ore)
Sorgenti di luce LASER (6 ore)
Fotorivelatori a singolo elementi e pixellati (10 ore)
Materiali dielettrici per optoelettronica (vetri, cristalli anisotropi) (2 ore)
Dispoitivi ottici integrati in guida d'onda (8 ore)
Effetti elettro-ottici per modulatori e commutatori di luce, effetto acustoottico per filtri di luce accordabili (6 ore)
Dispositivi nanofotonici basato su materiali a bandgap fotonico (2 ore)
Fibre ottiche: caratteristiche fisiche e di propagazione, tecniche di fabbricazione (6 ore)
Esperienze di laboratorio su sorgenti ottiche e fotorivelatori (4 ore)
Strumenti CAD per la progettazione di dispositivi ottico intgrati (4 ore)
Prerequisiti
Conoscenze di base di Elettronica e Campi elettromagnetici dai corsi di primo livello di lauree L8 o di Fisica
Testi di riferimento
• S.O. Kasap, Optoelectronics and Photonics: Principles and Practices, Second Edition, 2013, Pearson
• G. P. Agrawal, Lightwave Technology: Components and Devices, Wiley Interscience, 2004
• A. Yariv, Optical Electronics in Modern Communications, Oxford University Press, 1997
• J. Singh, Semiconductor Optoelectronics, McGraw‐Hill, 1995
• P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall, 1994
• H. Nishihara, H. Masamitsu, S. Toshiaki, Optical Integrated Circuits, McGraw‐Hill, 1989
• Appunti di lezione e trasparenti PP proiettati a lezione
• Materiale integrativo (lucidi/diapositive del corso, articoli) disponibile sul sito web
Classroom (richiesta registrazione)
Frequenza
In presenza non obbligatoria ma fortemente consigliata.
Modalità di esame
Esame scritto e orale su due argomenti del corso
Bibliografia
G. P. Agrawal, Lightwave Technology: Components and Devices, Wiley Interscience, 2004
• A. Yariv, Optical Electronics in Modern Communications, Oxford University Press, 1997
• J. Singh, Semiconductor Optoelectronics, McGraw‐Hill, 1995
• P. Bhattacharya, Semiconductor Optoelectronic Devices, Prentice Hall, 1994
• H. Nishihara, H. Masamitsu, S. Toshiaki, Optical Integrated Circuits, McGraw‐Hill, 1989
Modalità di erogazione
Lezioni di teoria frontali ed esercitazioni sul dimensionamento di dispositivi optoelettronici con esperienze di laboratorio.
- Codice insegnamento1041744
- Anno accademico2025/2026
- CorsoIngegneria delle Nanotecnologie - Nanotechnology Engineering
- CurriculumIngegneria delle Nanotecnologie
- Anno2º anno
- Semestre1º semestre
- SSDING-INF/01
- CFU6